近(jin)日表(biao)(biao)示(shi)摩(mo)(mo)爾(er)定律仍(reng)在(zai)發揮作用，芯片(pian)的(de)(de)晶(jing)體管(guan)數量現(xian)在(zai)每三年(nian)增加(jia)一倍(bei)。這實際(ji)上(shang)大(da)大(da)落(luo)后于摩(mo)(mo)爾(er)定律每兩年(nian)增加(jia)一倍(bei)的(de)(de)速(su)度。然而(er)(er)，基辛格表(biao)(biao)示(shi)，盡管(guan)摩(mo)(mo)爾(er)定律明顯放緩，但英特(te)爾(er)仍(reng)可以在(zai)2030年(nian)之前制造出1萬億個晶(jing)體管(guan)芯片(pian)，而(er)(er)如(ru)今，單(dan)個封裝上(shang)最(zui)大(da)的(de)(de)芯片(pian)擁有(you)約1000億個晶(jing)體管(guan)。他提到，四個因素使這一切成為可能：新的(de)(de)RibbonFET晶(jing)體管(guan)、PowerVIA電(dian)力(li)傳輸(shu)、下一代工藝節點和3D芯片(pian)堆(dui)疊。。

摩(mo)(mo)爾(er)定律由(you)英特(te)爾(er)聯合創始人(ren)戈登(deng)·摩(mo)(mo)爾(er)于(yu)1970年首次提出(chu)，該定律認(ren)為(wei)芯(xin)片的(de)晶(jing)體(ti)管數量(liang)每兩年增加一(yi)倍。這要歸功于(yu)新節點密度的(de)增加以及制造(zao)更大芯(xin)片的(de)能力。然而，近年來半導體(ti)行業(ye)的(de)步伐有些(xie)落(luo)后于(yu)摩(mo)(mo)爾(er)定律的(de)趨勢，促使許多人(ren)表(biao)示摩(mo)(mo)爾(er)定律已消失(shi)，而一(yi)些(xie)企業(ye)也(ye)表(biao)示正在進入摩(mo)(mo)爾(er)定律步伐放緩的(de)時代。

自2021年(nian)接(jie)任首席執行(xing)官以來，基(ji)辛格一(yi)直強調(diao)摩(mo)爾(er)(er)定律(lv)(lv)仍(reng)然有效(xiao)。事實上(shang)，至少可以在2031年(nian)超(chao)越摩(mo)爾(er)(er)定律(lv)(lv)，并推廣超(chao)級摩(mo)爾(er)(er)定律(lv)(lv)，這是一(yi)種使用(yong) Foveros 等 2.5D 和 3D 芯片封裝技(ji)術(shu)增加(jia)晶(jing)體(ti)管數量的策略(lve)。 大家正在進入摩(mo)爾(er)(er)定律(lv)(lv)緩慢實施的時(shi)代。將這一(yi)策略(lve)稱為“摩(mo)爾(er)(er)定律(lv)(lv)2.0”。

在(zai)最新演講中表(biao)示，“我們(men)不(bu)再處于摩爾定律(lv)的黃金時代，現在(zai)的的確確要(yao)困難得多，所以我們(men)現在(zai)可能會(hui)有效地接近(jin)晶體(ti)管數(shu)量每三年(nian)翻一(yi)(yi)(yi)番，大(da)家肯定看到(dao)了速(su)度(du)已經放緩(huan)。”盡管摩爾定律(lv)明顯放緩(huan)，但英特(te)爾仍可以在(zai)2030年(nian)之前制造出1萬億個(ge)晶體(ti)管芯(xin)片(pian)，而如今，單個(ge)封裝上最大(da)的芯(xin)片(pian)擁(yong)有約1000億個(ge)晶體(ti)管。他(ta)提(ti)到(dao)，四個(ge)因素使這一(yi)(yi)(yi)切成為可能：新的RibbonFET晶體(ti)管、PowerVIA電(dian)力傳輸、下一(yi)(yi)(yi)代工藝節(jie)點和3D芯(xin)片(pian)堆疊。

此外，承認摩爾定律(lv)的(de)經濟(ji)效益方(fang)面(mian)正在崩(beng)潰。“七(qi)八年前，一座現代化晶圓廠(chang)的(de)成本約為100億(yi)美元。現在，它的(de)成本約為200億(yi)美元，所以你會看到經濟(ji)方(fang)面(mian)發生了不(bu)同的(de)轉變。”